1． 根據(jù)試品的容量Ca，耦合電容的大小Ck，選取適合序號的輸入單元。表1中調諧電容量系指與輸入單元初級繞組并聯(lián)的電容（粗略估算以按試品容量與耦合電容的容量串聯(lián)計算）。例如：試品容量為120ｐF，耦合電容量為1000ｐF，則所需檢測阻抗為有
2. 試品接入輸入單元的方法有以下幾種（見圖3）：
其中：Z為阻塞阻抗；
Ca為試品；
Ck為耦合電容。
3． 面板示意圖
4．準備
后面板AC220V插座上接上220V工頻電源，然后打開電源開關，讓儀器預熱5分鐘，同時對有關開關進行操作。
“標準－擴展－直線”開關置于標準
放大器頻帶fL、fH分別置20KHｚ，300KHｚ，放大器增益粗調置3檔，細調置中間位置，切不可一開始將粗調開關置*上等。
根據(jù)不同頻率的試驗電源選擇電源頻率，以便觀察合適的橢圓。
如果中頻試驗電源，請將中頻試驗電壓開關旋在275V檔，然后再接上中頻電源。觀察數(shù)字表讀數(shù)，如果差得太多，可將試驗電壓開關往小檔位上旋一檔，直至合適值，千萬不可旋在太小檔位上，同時請注意，輸入儀器的中頻電壓萬不可超過規(guī)定值275V！，否則儀器被損壞。
橢圓旋轉可不作調節(jié)。窗開關打在關位置，以后根據(jù)干擾出現(xiàn)的相位可開窗適當調旋轉，根據(jù)干擾情況調窗寬、位置，使干擾在門窗之外，使局部信號在窗上，以便讀取放電的數(shù)值。
線性、對數(shù)開關置于線性位置。
5. 視在放電量校準（JZF－10校正脈沖發(fā)生器）
用視在放電量校準器（JZF－10校正脈沖發(fā)生器）的輸出接于試品兩端，紅端接高壓端(引線盡可能短，以防干擾)，黑端接低壓端，調節(jié)其輸出放電量，例如50PC，調節(jié)放大器增益粗調及增益細調旋鈕，使放電量表指示滿度。此時放電量表指示滿度即100%表示50PC的放電量，注意此時增益細調旋鈕位置不可再動。測量盒應盡量靠近試品高壓端。
校準完畢后，拆除視在放電量校準器的連線，并關斷其電源，防止高壓損壞校準器。
6. 試驗操作
接通高壓試驗回路的電源，逐步升高電壓至規(guī)定電壓，時刻注視PC表指示，此時放電量表的讀數(shù)表示試品放電量的大小，如指示在80%，則表示試品視在放電量為50×80%＝40PC。
若此時試品放電量剛大于100%即超過滿度，應立即將放大器增益粗調由原來的“3”切換到“2”檔，此時放電量表100%，則表示500PC，假如此時放電量指示80%，由試品放電量為500×80%＝400PC。
若此時試品放電量小于10%：
a. 應將放大器粗調由“3”檔改至“4”檔，此時放電量表100%則表示5PC，假如此時放電量表指示80%，則試品視在放電量為5×80%＝4PC。
b.將儀器面板上對數(shù)、線性開關切換至對數(shù)位置，因對數(shù)刻度10%以下分辨率高，可直接讀出對數(shù)刻度。
旋轉“橢圓旋轉”開關使橢圓轉到預期的放電*利于觀察之處。通常這個位置是零標脈沖分別處于橢圓上部左側及下部右側之處。連續(xù)升高電壓，注意**次出現(xiàn)持續(xù)放電，當放電量超過規(guī)定的*低值時的電壓即為局部放電起始電壓。
若有干信號在放電脈沖附近，可以用窗寬和窗位置將干信號擾拒之窗外，即合擾窗開關，用一個或兩個時間窗并用窗寬、窗位置來改變橢圓上加亮區(qū)域的寬度與位置，使其避開干擾脈沖，這樣，放電量表的指示值只表示放電脈沖的大小，而不表示干擾信號的值，另外也可以改變頻帶的方法來提高抗干擾能力。
注：如需判斷放電相位，接上合適的電阻分壓器，取得10V左右的零標電壓，緩緩升高試驗電壓，橢圓上將出現(xiàn)兩個零標志脈沖，通過零標志可判別放電的相位，如圖所示：
七、測試中的干擾問題
測試中，往往由于外部干擾信號的影響，而使測試結果産誤判斷，或者使測試工作根本無法進行下去。尤其對從事局部放電測試工作經(jīng)驗不多的人，更容易引起誤判斷。因此，在局部放電測試技術中，消除外部干擾成為一項很重要的技術內容，同時也是花錢較多的一項技術措施。
(一) 外來干擾
1．與電源電壓無關的干擾
這種干擾與電源電壓（加至被試品上的電壓）無關，它不隨電源電壓的升高或降低而變化。它產(chǎn)生于：電氣開關的開閉操作、電焊起弧、吊車開動、整流電機的電刷、閃光燈、無線電電磁波以及各種工業(yè)干擾等等。這些干擾通過電源、測試回路和地線等途徑侵入進來。
2. 電源電壓有關的干擾
這類干擾一般隨電源電壓的增加而變大。它可由試區(qū)內各個部分產(chǎn)生。例如：
試驗變壓器、高壓引線、試品端部、高壓線路接觸不佳、高壓試區(qū)的絕緣物體與地線（或接地金屬物）接觸、試區(qū)內金屬物體接地不佳、以及其它物體的感應放電等等。與電源電壓有關的干擾的侵入途徑，可以通過電源、高壓導線、空間和地線侵入到測試回路內。
(二)消除外來干擾的方法
1. 消除與電源電壓無關的干擾方法：應從電源、空間、接地方式幾個方面采取措施。為了消除空間電磁波的干擾，應將試驗室加以屏蔽。對于由電源侵入的干擾，一般在電源進口處加隔離變壓器和濾波裝置。消除由接地網(wǎng)來的干擾，應采取一點接地方式。
2. 消除與電源有關的干擾措施：可將高壓導線加粗（用較粗的蛇皮管、薄鐵皮圓筒或鋁筒）；對被試品端部加防暈罩；試區(qū)內各地線和金屬物應良好接地；試區(qū)內的絕緣物體嚴禁與金屬接地體接觸；在高壓線下部地面上不應有螺釘、地線頭等金屬物體。
八、附件
說明書 1份
測試報告 1份
電源線 1根
測試電纜 1根（8米）
保險絲 2只
合格證 1份
九、成套裝置（根據(jù)客戶要求選配）
1. 輸入阻抗
1~12號任選，7R號測長電纜用。
2. 視在放電量器校準器（JZF－10校正電量發(fā)生器，局放儀校正脈沖發(fā)生器）任選。
3. LB系列工頻、中頻濾波器
4. SBP系列三倍頻感應試驗設備
5. 無局放電阻分壓器50KV、100KV、150KV、200KV任選。
6. 無局放耦合電容系列
7. YDTW無局放試驗變壓器系列
8. 工頻試驗控制臺
十、視在放電量校準器參數(shù)及使用
(一) 校正脈沖發(fā)生器
局放儀校正脈沖發(fā)生器是專為局部放電的檢測而設計的，本儀器的精度、上升時間、重復頻率等直接決定了局部放電的測試精度，此儀器符合IEC標準。此校正脈沖發(fā)生器輸出電量10~5000PC任意調節(jié)。適用于先校準后試驗，先試驗后校準的局放試驗中。
一、技術參數(shù)
1．方波幅值
滿刻度為2.5V、5V、10V、25V、50V；
精度為±2%
2. 衰減器：10:1衰減3級。
3. 輸出脈沖極性
“＋”每周期提供一個主正向脈沖；
“±”每周期提供一個正向脈沖和一個負向脈沖；
“—”每周期提供一個負向脈沖。
4. 方波前沿＜0.07us
5. 重復頻率：45Hｚ~65Hz，連續(xù)可調。
6. 脈沖衰減時間100us~1000us
7. 內阻＜75Ω。
8. 工作方式：感應同步，手動調節(jié)。
9. TCD-9305局部放電檢測儀一次工作時間5分鐘。
10．TCD-9305局部放電檢測儀工作環(huán)境
0~40℃，相對濕度≯85；
儀器周圍無強烈振動，儀器平放工作，不得傾斜。
11．電源：10V可充電電池。
二、TCD-9305局部放電檢測儀操作程序
用戶可根據(jù)實際情況選擇輸出幅值和Cq(10pF、100pF)、模擬放電量為Q=Cq×Uo。
將輸出電纜一端接到“衰減輸出”高頻插座，另一端接到裝有注入電容的匹配盒。
將極性開關調節(jié)到所需要的脈沖型號，按下啟動按鈕，儀器進入工作狀態(tài)。調節(jié)“方波幅值”旋鈕到所需要的電壓值范圍，然后再調節(jié)“細調”，將同步選擇開關打到調頻，然后調節(jié)旋鈕使脈沖的頻率盡量接近于試驗電源的頻率，如果需要同步，將開關打到感應接線柱上，此時脈沖與電網(wǎng)頻率同步。當“極性開關”旋到“V”檢查時，看表頭指示是否在紅線以下，如果在紅線以下時則需充電。
校正結束后，必須將匹配盒拿下，以免升高壓時打壞，將儀器置于“關”位置。
注：TCD-9305局部放電檢測儀工作時必須平放，不能傾斜，另此儀器的方波信號為不接地的，不用接地。
HD型正電量發(fā)生器的主要技術指標及使用
HD型校正電量發(fā)生器是一種小型的可充電電池供電的視在放電量校準器，它可以分別以四種放電量向試品兩端注入1.2KHｚ左右的校正脈沖，可用于先校準后試驗的局放試驗中，適合于國際電工委員會IEC－270所推薦的任何一種試驗電路。
（一）主要技術參數(shù)
電池電壓 1.25×8V
輸出電荷量 5、50、500PC或5、10、50、100PC
方波前沿 ?。?.07us
脈寬： 100us~1000us
內阻： ?。?5Ω
重復頻率 1.2KHｚ
頻率變化 ＞±200Hｚ
注入電容 10PF、100PF或10PF、20PF
（二）TCD-9305局部放電檢測儀使用方法
首先檢查HD校正脈沖發(fā)生器的電池電壓，如面板上電壓表指示，在8V以上方能正常工作。
將輸出的紅、黑兩個端子上接上導線，紅端子上的導線盡量短，且靠近試品的高壓端，黑線導線接試品的低壓端，將校正電量開關置于5、10、50、100、500中任何合適一檔即可校正。頻率可在1.2KHｚ附近調節(jié)。
校正電量發(fā)生器使用后及時將調節(jié)電荷量的波段開關旋在關位置。如校正電量發(fā)生器工作時表頭指示在8V以下，則需充電，充電要適時，且時間要連續(xù)達到5小時。如校準電量發(fā)生器常期未用，則每月補充一次電。
十一、常見圖譜分析
（1）接觸不佳
這種干擾源如圖1所示。其特點是干擾波位于橢圓時基的零點附近。在正負半波上對稱出現(xiàn)，幅值相差不大。干擾在低電壓時即出現(xiàn)。電壓增大時，干擾占位區(qū)域也增大，由于疊加效果幅值增大較慢。有時在電壓達到某一定數(shù)值后會完全消失。
造成這種干擾的原因有：試驗回路中金屬對金屬接觸不佳，塑料電線半導電屏蔽層中粒子間接觸不佳，電容器卷繞鋁箔電極與插接片接觸不佳等。
（2）浮動電位物體
波形見圖2，特別是在電壓峰值之前的正負半波部分出現(xiàn)。等幅值間隙不等。由于余輝，有時成對的出現(xiàn)，有時圖像有飄動。電壓增加時，根數(shù)增加，間隙縮小，中間值不變。有時電壓增加到一定值后干擾信號會消失，再降低電壓時，又會重新出現(xiàn)。
起因：金屬或碳質導體之間的間隙放電。它可以發(fā)生在試樣上或測試回路中。在兩個孤立的導電物之間，例如地面上處于浮動電位的多種物體間發(fā)生。
（3）外部**電暈
波形如圖3，特別是僅在試驗電壓的一個半波中出現(xiàn)，位于外施電壓的峰值部分，等幅值，等間距。電壓增加時，放電訊號波的根數(shù)增加，但幅值總不變。
起因：高壓電極的**或邊緣對空氣中的放電。若干擾訊號位于橢圓時基的負關周，則**電暈處于高電壓下，若干擾訊號位于時基橢圓的正半周，則**在接地部分，有時也可能高壓、接地部分都有**電暈放電，則時基橢圓的正負半周就出現(xiàn)兩組訊號。
（4）液體介質中的**放電
波形見圖4，特別：在試驗電壓正負半周峰值位置均有一組訊號，同一組訊號等幅值，等間隔，一組中間值較大的訊號先出現(xiàn)，隨電壓增加值也增大。一組中間值小的訊號其幅值不隨電壓變化。
起因：在絕緣液體中發(fā)生了**或邊緣電暈放電?；蛞唤M大的訊號出現(xiàn)在正半周，則**位于高壓部分；若它出現(xiàn)在負半周，則**處于接地部分。
（5）繼電器，接觸器的動作
干擾訊號波形見圖5，特點：在時基橢圓上干擾訊號波形分布不規(guī)則，間隙地出現(xiàn)，且同試驗電壓大小無關。
起因：閃光燈，熱繼電器，接觸器和各種火花試驗器或有火花放電的記錄器動作時造成。
（6）可控硅元件
干擾訊號波形見圖6，特點：干擾訊號在時基橢圓上之位置固定，每一元件產(chǎn)生一個獨立的高頻脈沖訊號。電路接通，電磁耦合效應增強時，訊號幅值增加，也可能發(fā)生波形展寬、相移，從而在時基上占位增加。
起因：供電網(wǎng)絡中有可控硅器件在運行。干擾的大小同所用可控硅器件的功率直接有關。
（7）異步電機
干擾波形見圖7。特點：在時基橢圓上正負半周波形出現(xiàn)對稱的二組訊號，且沿掃描時基逆時針方向移動。
起因：異步電機運行時產(chǎn)生的干擾訊號耦合到檢測回路中來。
（8）螢光燈
干擾波形見圖8。特點：在橢圓時基上出現(xiàn)欄柵狀幅值大致相等的脈沖，并伴有正負半波時對稱出現(xiàn)的二簇脈沖組。
（9）電動機
干擾波形見圖9。特點：沿橢圓時基均布，等幅值每一個單個訊號或“山”字形。
起因：帶換向器的電動機如風扇、電吹風運轉時所發(fā)出的干擾訊號。
（10）無線電干擾
干擾波形見圖10，特點：沿整個時基橢圓分布的幅值有調制的高頻正弦波。
起因：高頻電力放大器，無線電話、廣播話筒等。
（11）中高頻工業(yè)設備
干擾波形見圖11。特點：訊號在時基橢圓上連續(xù)發(fā)生，但僅在半周內出現(xiàn)。
起因：感應加熱裝置及頻率接近局部放電檢測頻率的超聲波發(fā)生器等。
（12）磁飽和產(chǎn)生的諧波
干擾波形見圖12。特點：在時基橢圓正負半波上對稱出現(xiàn)一對諧波振蕩訊號，訊號幅值隨電壓增加而增加，電壓除去，訊號消失。訊號穩(wěn)定，能重復再現(xiàn)。
起因：試驗系統(tǒng)中鐵芯設備（試驗變壓器，并聯(lián)或串聯(lián)電抗器，濾波電抗器，匹配變壓器，調壓變壓器）磁飽和時產(chǎn)生的諧振訊號。
（13）電極在電場方向運動
干擾波形見圖13。特點：僅在時基橢圓的半周中出現(xiàn)二個訊號脈沖，它們相對于峰值點對稱分布。起始點該二訊號很靠近，隨電壓增大，二者逐漸分開，且有可能產(chǎn)生新的訊號脈沖對。
起因：電極（尤其是金屬箔電極）在電場作用下運動。
（14）介質表面放電
干擾訊號波形見圖14。特點：放電訊號出現(xiàn)在試驗電壓峰值之前。正負半周中都有，而且幅值基本相等。訊號幅值和位置有隨機性變化。開始時，放電訊號是可分辨 的，到一定電壓值后便難以分辨。
起因：二個接觸的絕緣導體之間介質表面上的，或介質表面上切向場強較高的區(qū)域發(fā)生放電。
（15）漏電痕跡和樹枝
波形特點：訊號與一般典型的圖像不符合，波形呈不規(guī)則，不確定的圖像，與電壓有關。
起因：臟污絕緣中泄漏，絕緣局部過熱致的碳痕跡或電樹枝足道等。